ASML acaba de enseñar una mejora que, si llega a producción, puede volver a mover el listón de la industria de los chips. Un equipo de investigadores de la compañía afirma haber encontrado una forma de aumentar la potencia de la fuente de luz que alimenta sus máquinas de litografía UVE (ultravioleta extremo). La cifra impresiona: el objetivo es pasar de los 600 vatios actuales a 1.000 vatios, con la promesa de que eso podría traducirse en un 50% más de producción de chips hacia 2030. Para sus rivales —y para los países que intentan recortar distancias— es, directamente, un problema.

Michael Purvis, ingeniero de ASML y líder de la investigación, lo resumió con una frase poco habitual en un sector tan dado a los matices: “No es un truco de salón”. En declaraciones a Reuters, explicó que demostraron durante un periodo muy corto que el sistema puede funcionar y que, además, lo hace “con los mismos requisitos que se pueden ver en un cliente”. Es decir: no sería un experimento imposible de replicar fuera del laboratorio.

Para entender por qué este avance importa, conviene recordar lo delicado del proceso UVE. ASML necesita generar luz con una longitud de onda de 13,5 nanómetros, extremadamente energética. Para conseguirla, lanza microgotas de estaño fundido —del tamaño de una fracción de un cabello humano— dentro de una cámara de vacío. Esas gotas caen una tras otra a un ritmo superior a 100.000 por segundo. Un láser gigante de dióxido de carbono dispara a cada gota; el impacto convierte el estaño en un gas muy caliente (plasma) con temperaturas que superan incluso las del Sol. Ese plasma emite radiación EUV, que luego es recogida y dirigida por espejos de ultra precisión fabricados por Zeiss hasta la oblea de silicio, donde se “dibujan” los circuitos con precisión atómica.

La novedad está en dos ajustes clave. Primero, el nuevo sistema duplicaría la frecuencia de esas gotas de estaño, lo que permite generar más luz. Segundo, introduce dos pulsos láser previos en lugar de uno: el primero da forma a la gota y la “prepara”; el segundo la convierte en plasma de manera más eficiente. En conjunto, más luz significa más capacidad de exposición y, por tanto, más rendimiento.

ASML sostiene que el salto de potencia tendría un impacto directo en el yield, el porcentaje de chips funcionales que se obtienen de cada oblea. Y eso es oro para cualquier fabricante: menos desperdicio, más unidades útiles y mayor estabilidad en procesos cada vez más exigentes.

En paralelo, la compañía ya pone números sobre la mesa. Teun van Gogh, responsable de la línea NXE de máquinas UVE, también citado por Reuters, indicó que la intención es hacer esta tecnología más asequible. Si sale como esperan, las máquinas que la integren podrían procesar 330 obleas por hora, frente a las 220 actuales. No es un ajuste menor: es un salto de productividad que puede redefinir calendarios de fabricación y capacidad instalada.

Mientras tanto, Estados Unidos intenta abrir alternativas. Al menos dos startups, Substrate y xLight, han levantado cientos de millones de dólares para desarrollar sistemas que compitan con ASML. Substrate trabaja en un enfoque basado en rayos X; xLight —liderada por Pat Gelsinger y con inversión del Gobierno estadounidense— apuesta por aceleradores de partículas.

Y China, por supuesto, sigue en la carrera. Lleva años tratando de construir máquinas comparables a las de ASML. Se habla incluso de un “Proyecto Manhattan” chino en este ámbito y de que estarían más cerca de lograr su propia tecnología UVE. Aun así, la realidad inmediata no cambia: hoy, ASML no tiene competencia real en el segmento que habilita los chips más avanzados.

Lo más inquietante para sus rivales es que esto no termina en 1.000 vatios. Purvis añadió que ven “una ruta razonablemente clara” hacia 1.500 vatios y que no existe una razón fundamental para no llegar a 2.000. Si esa hoja de ruta se confirma, ASML no solo mantendría su liderazgo: ampliaría la brecha en el punto más crítico de toda la cadena de valor de los semiconductores.