China vive una paradoja que define la carrera tecnológica de esta década: fabrica más chips que nadie, pero todavía no puede producir de forma eficiente los más críticos. En 2024, el país alcanzó 484.300 millones de unidades, según el Ministerio de Industria y Tecnología de la Información de China. Es una cifra astronómica y, además, viene con aceleración: supone un 85,2% más que en 2020. Sin embargo, cuando se trata de los semiconductores más avanzados —los que marcan la diferencia en IA, defensa y competitividad industrial— la dependencia del exterior sigue pesando.

El punto de partida es geopolítico. La política de vetos, aranceles y sanciones de Estados Unidos en materia de chips buscaba frenar a China y mantener la ventaja estratégica. En la práctica, ha funcionado como catalizador: Pekín está transformando su industria a contrarreloj para lograr soberanía tecnológica. La importancia de ese objetivo va más allá de la economía. Si China logra cerrar la brecha, el equilibrio de poder en la cadena global de suministro cambiaría, afectando tanto a gobiernos como a gigantes empresariales.

Los números explican la ambición. En 2024, la inversión estatal china en semiconductores fue de 47.500 millones de dólares, por encima de los 39.000 millones canalizados por Estados Unidos a través de su Chips Act. Aun así, la autosuficiencia real está lejos: en 2024, los proveedores chinos cubrían el 14% de la demanda interna; para 2030, esa cuota podría subir al 37%, según una estimación recogida por The Korean Times a partir de Goldman Sachs. También hay avance en maquinaria: la cuota de equipos pasó del 4,9% en 2018 al 13,6% en 2024.

En el terreno cualitativo, China ya ha dejado señales claras. Está construyendo un ecosistema menos dependiente de un único proveedor extranjero, con Huawei en procesadores y con Biren y Moore Threads empujando chips de IA. Moore Threads, apodada la “NVIDIA china”, presentó a finales de 2024 su chip de IA Huashan y afirma que supera a Hopper de NVIDIA y se acerca a Blackwell. En memoria, Changxin Memory Technology (CXMT) anunció en noviembre de 2024 su DRAM DDR5 avanzada, con velocidades de hasta 8.000 megabits por segundo y hasta 24 gigabits por matriz, situándose en la liga de Samsung, SK Hynix o Micron.

Pero el cuello de botella sigue siendo el mismo: sin una máquina de litografía EUV propia, no hay capacidad para producir por debajo de siete nanómetros de forma eficiente y escalable. ASML continúa siendo insustituible a corto plazo. China trabaja en un prototipo EUV desarrollado en un laboratorio de alta seguridad en Shenzhen por un equipo de antiguos ingenieros de ASML mediante ingeniería inversa, pero incluso en el escenario más optimista no se vería hasta 2028.

Y la carrera no espera. Mientras CXMT planea iniciar la producción en masa de memoria HBM3 este año, SK Hynix ya avanza hacia HBM4. Además, no basta con la máquina: hace falta un ecosistema completo de software de diseño, materiales especializados, óptica de ultraprecisión y talento ingenieril. Cerrar esa brecha es más lento que levantar fábricas.

Lo que viene está escrito en la planificación. El XV Plan Quinquenal (2026-2030) pide medidas “extraordinarias” para impulsar avances en toda la cadena de suministro, incluidos circuitos integrados y equipos de alta gama, con el objetivo de lograr “avances decisivos”. China no pisa el freno: el mensaje es claro, y el reloj también.